etch depth中文是什么意思

• 腐蚀深度
• 刻蚀深度

• etch    vt. 1.蚀刻，浸蚀。 2.刻划，描述。 3.铭刻。 ...
• depth    n. 1.深；深度。 2.(色泽的)浓度；(声音的)低沉 ...
• etch    vt. 1.蚀刻，浸蚀。 2.刻划，描述。 3.铭刻。 vi. 进行蚀刻。 n. 腐蚀剂，蚀刻剂。 mass etch (晶体的)粗蚀。
• at a depth of    达到……之深度
• depth    n. 1.深；深度。 2.(色泽的)浓度；(声音的)低沉；(感情等的)深厚，深沉，深刻。 3.进深。 4.〔常 pl.〕深处；深渊，深海，海。 5.正中，当中。 6.深奥，奥妙。 beyond [out of] one's depth 在深不着底的地方；不能理解，力所不及。 depth bomb [charge] 深水炸弹。 depth of shade 色度。 from the depth of the mind 诚心，真心，从心底里。 in depth 广泛，彻底，详细。 in the depth of 在正中；在深处。 keep within one's depth 在(某人)可能限度内?水；做(某人)力所能及的事情。 to the depths of one's heart 内心深处。 with a great depth of feeling 深深同情。
• in depth    全面深入地；彻底地; 在底部; 在深部
• in the depth of    在...里面
• in-depth    adj. 认真作出的；详细的；深入的；彻底的。 an in-depth study 深入的研究。
• on depth    达到深度
• acid etch    腐蚀厚涂; 浸酸; 酸腐蚀; 酸浸蚀; 酸刻蚀
• alkali etch    碱腐蚀
• alkaline etch    龄咬
• anisotropic etch    蛤异性腐蚀
• backside etch    背面蚀刻
• buffered etch    缓冲腐蚀剂
• carbide etch    碳化物浸蚀
• caustic etch    苛性浸蚀
• chemical etch    化学腐蚀
• collector etch    集电极腐蚀; 集极腐蚀
• deep etch    平凹板; 深浸蚀
• deep-etch    深度浸蚀
• dip etch    浸蚀法
• dry etch    干法刻蚀
• electrolytic etch    电解浸蚀
• etch angle    蚀痕角

• The reciprocal space map of x - ray difll - action for quantum - wires is simulated successfully . abundant structural intbrmation such as array period , geometric shape , etching depth and strain state , etc . for quantum wires are obtained
  模拟了量于线x射线衍射的二三维图，得到更为丰富的样品结构信息，例如周期，形状，刻蚀深度，应变等。
• Through the analysis , it is shown that : 1 , while fabricating the grating , the principle of selecting the parameters is : the period should be as large as possible , the etching depth should be small and filling factor should approach to 0 . 25 . 2 , if selecting the parameter combine the selecting principle and the requirement of concrete application , the space of selecting the parameter should be larger than before . 3 , while the period to . 4a , , the surface profile has no effect on the reflectivity
  通过分析发现： 1 、在制作有一定特性的光栅时，光栅参数的选择原则为：周期的取值应尽量的大，刻蚀深度的取值应尽量的小，占空比的取值应尽量靠近f = 0 . 25 ； 2 、以参数的选择原则结合制作的具体应用要求宋选择光栅的参数，则各个参数的优化空间更大； 3 、当光栅的周期t 0 . 4时，表面面形对反射率没有影响； 4 、运用临界周期点随折射率的变化规律，可以避免由于选择光栅周期过大而出现一级衍射，从而导致制作失败。